功率场效应甘孜干式变压器MOSFET

MOSFET的原意是MOS( Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体) FET(FieldEffect Transis甘孜变压器厂家tor,场效应甘孜干式变压器),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O),利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应甘孜干式变压器。

功率场效应甘孜干式变压器也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型( MetalOxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET( Power MOSFET),结型功率场效应甘孜干式变压器一般称作静甘孜干式变压器应甘孜干式变压器( Static Induction Transistor,缩写为ST),其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置,国际整流器公司( International Rectifier,缩写为IR)把MOSFET用于的器件归纳为第3?6?9代,其中包括3.5代,而用于低压的则为第5?7?8代。

功率MOSFET按导电沟道可分为P沟道和N沟道;按栅极电压幅值可分为耗尽型(当册极电压为零时漏?源极之间就存在导电沟道)和增强型(对于N(P)沟道器件,栅极电压大于或小于零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型)。

甘孜干式变压器功率MOSFET的结构

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图2-1所示,其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型品体管,导电机理与小功率Mos管相同,但结构上有较大区别小功率Ms管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double－diffused MOSFET）。本节主要介绍VDMOS器件的工作原理和工作特性。

功率MOSFET为多元集成结构,如:国际整流器公司的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司( Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元:摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按“品“字形排列。

甘孜干式变压器功率MOSFET的工作原理

截止:漏源极间加正甘孜干式变压器,栅源极间电压为零,P基区与N漂移区之间形成的PN结J反偏,漏源极之间无电流流过。

导电:在栅源极间加正电压ULa,极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过,但极的正电电子吸引到极下面的P区表面会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子一一电子吸引到栅极下面的P区表面。

当Ugs大于Ut（开启电压或阈值电压）时，棚极下面P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J１消失，漏极和源极导电。

文章转载自网络,如有侵权,请联系删除。